CuW50高强度高导电钨铜 上海批量销售W55钨铜薄板 CuW50
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铜钨"合金"导卫取代镍铬合金，尤其取代一般认为硬度高而且耐磨的硬质合金导卫，究其原因，正如前述的这种"合金"本身特点适应了制作轧钢导卫的工作要求。 钨铜采用等静压成型—高温烧结钨骨架—溶渗铜的工艺，是钨和铜的一种合金。
钨铜合金 LC2500 CUW80 CUW70 WUW90 W80 W70 钨铜
技术特性指标 钨铜合金（含钨30%-85%）:
牌号 Cu%（WT） W%（WT） RWMAClass 密度(Min) 导电率(Min) 硬度(Min) 导热系数 热膨胀系数
CuW55 45±2 Balance 10 12.30g/cm3 49%IACS 125HB ~260(W/mK) ~11.7(10-6/K)
CuW60 40±2 Balance 12.75g/cm3 47%IACS 140HB
CuW65 35±2 Balance 3.30g/cm3 44%IACS 155HB
CuW70 30±2 Balance 13.80g/cm3 42%IACS 175HB ~240(W/mK) ~9.7(10-6/K)
CuW75 25±2 Balance 11 14.50g/cm3 38%IACS 195HB 200~230 (W/mK) 9.0~9.5 (10-6/K)
CuW80 20±2 Balance 12 15.15g/cm3 34%IACS 220HB 190~210(W/mK) 8.0~8.5 (10-6/K)
CuW85 15±2 Balance 15.90g/cm3 30%IACS 240HB 180~200(W/mK) 7.0~7.5(10-6/K)
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碳化钨铜（含碳化钨30%-80%）：
牌号 Cu%（WT） WC%（WT） 密度(Min) 导电率(Min) 硬度(Min)
CuWC50 50±2 Balance 11.04g/cm3 45%IACS 80HRB
CuWC55 45±2 Balance 11.35g/cm3 42%IACS 85HRB
CuWC60 40±2 Balance 11.80g/cm3 35%IACS 90HRB
CuWC70 30±2 Balance 12.56g/cm3 30%IACS 98HRB
CuWC75 25±2 Balance 12.80g/cm3 28%IACS 28HRC
CuWC80 20±2 Balance 13.40g/cm3 26%IACS 34HRC
钨铜电子封装材料W-Cu电子封装材料，既具有钨的低膨胀特性，又具有铜的高导热特性，尤为可贵的是，其热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整材料的成分而加以设计，因而给该材料的应用带来了极大的方便。我们采用高纯的优质原料，经压制成形、高温烧结及熔渗后，得到性能优良的W-Cu电子封装材料及热沉材料。适用于与大功率器件封装的材料，如基片、下电极等；高性能的引线框架；军用和民用的热控装置的热控板和散热器等广毅荣。优点：具有与不同基体相匹配的热膨胀系数及高的热导率；优良的高温稳定性及均一性；优良的加工性能；
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