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AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构
属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色
或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高
温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)
，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具
有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有较好的耐侵蚀性。
产品特点： ◆热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上; ◆热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配; ◆各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良; ◆机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结; ◆光传输特性好; ◆无毒; | | 应用领域： 氮化铝陶瓷片(也叫薄膜金属化基板)广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等。 |
目前，我公司出产的氧化铝陶瓷基片（板）有模具冲压片和激光切割片两种，可提供长宽范围不等、厚度0.25~4mm不等的各种规格基片（板），产品的性能和精度一般可以满足客户要求。