产品属性
参数 Parameter
单位Unit
参考值 Value
生长方式Crystal Growth Method
VGF
晶体取向Crystal Orientation
（100）15°Off Toward＜111＞A±0.5
导电类型Conduction Type
N-Type,semi-insulating
掺杂剂Dopant
Si
载流子浓度CC
/cm3
(0.4-4)E18
电阻率Resistivity
Ω·cm
(1.2-9.9)*10-3
迁移率Mobility
cm2/V.S
1000-3000
位错密度EPD
cm-2
≤3000
直径Diameter
mm
100±0.2
标准Standard
SEMI-EJ
主参考边长度PFlat Length
32±1 EJ(0-1-1)±0.5°
副参考边长度Secondary Length
18±1 EJ(0-11)±0.5°
倒角Edge Rounding
Edge rounded acc.SEMI M9
厚度Thickness
um
625±25
激光打标Laser Marking
NONE
表面抛光Surface Finish
Polished/Polished
表面颗粒度Particle Count
Per wafer
≤50
总厚度变化TTV
≤10
表面平整度TIR
≤15
弯曲度Warp
包装方式Packaging
Standard
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